08月11日,星期二 02:30
火讯财经讯,三星电子半导体研究所Foundry工艺开发团队朴昌民在“2026下一代光刻+图案化学术大会”上表示,公司计划从1纳米(A10)工艺开始应用High-NA EUV技术,目标2030年左右量产。三星目前在2纳米及以下工艺中仍采用现有0.33 NA EUV多重图案化方案,计划2029年量产1.4纳米,后续推进至1纳米。High-NA EUV将透镜数值孔径从0.33提升至0.55,分辨率更高,可将原先需多重图案化的超微细工艺简化为单次图案化,有利于降低制造成本、提升生产效率和设计灵活性,但技术难度高、设备昂贵,且